约束边缘暗柱，是指在磁场约束下，在充电的砷化镓及铟化镓半导体中形成的暗柱状结构。这种结构能够有效地限制电流在器件中的流动，而使得器件在高电压状态下也能实现高效的电流控制。因此，在高电压输电、变频调速、电子电路等领域中有着广泛的应用。
约束边缘暗柱常用于高电压场效应管、绝缘栅双极性晶体管等器件中。通过加入边缘暗柱，在高电压下可以有效控制漏电流，提高器件的电压承受能力，从而使其具有更好的可靠性和稳定性。此外，边缘暗柱还可以增加器件的漏磁感应强度，改善MOSFET等高频器件的开关速度和损耗，提高器件性能。
