场效应管（英文名：Field Effect Transistor），简称FET，是一种基础电子元器件。与双极型晶体管不同的是，场效应管中的载流子是通过电场作用而非注入的方式引入的，故得其名。
场效应管有三个极，分别是源极、漏极和栅极。栅极与源极之间通过一层极薄的绝缘层隔开。当栅极电压为零时，漏极和源极之间阻值很大，几乎为无穷大。当栅极加上一个正电压时，栅极与源极之间会产生电场，使在漏极和源极间的空间中产生一个电势差，从而在该空间中形成一个导电道，电流就从源极向漏极流动。与此同时，栅极的电压越高，产生的导电道越宽，电流也就越大。
